M05600 - SEMI M56 - 計量装置の測定変動と偏りに起因する費用成分の作業法 StdPbc-0522 SEMI E140-0312 (technical revision)

SEMI E140-0312 (technical revision)

SEMI MF84 –– Test Method for Measuring Resistivity of Silicon Wafers with an In-Line Four-Point Probe

本試験方法は，局所的光散乱（LLSs）量を等価光散乱サイズに換算する機能を持った，走査型表面検査システム（SSIS）の捕獲率（CR），偽計数率（FCR）および累積的偽計数率（CFCR）を決定することをカバーする。

orgで入手可能になり，2003年7月発行に至る。初版は1995年発行。

キャリアIDリーダ／ライタインタフェーススタンダードは上位コントローラを持っている包括的なキャリアIDリーダ／ライタインタフェースに関する機能的な要求条件を扱う。

M05600 - SEMI M56 - 計量装置の測定変動と偏りに起因する費用成分の作業法 StdPbc-0522 SEMI E140-0312 (technical revision)global Silicon Wafer Committee20061121global Audits and Reviews Subcommittee20072www. semi. org20073CD ROM200311 11 P TP T Referenced SEMI Standards SEMI E35 Guide to Calculate Cost of Ownership (COO) Metrics for Semiconductor Manufacturing Equipment SEMI E89 Guide for Measurement System Analysis (MSA) SEMI M1 Specifications for Polished Monocrystalline Silicon Wafers S EMI M59 Terminology for Silicon Technology